Beschreibung:
Die Geräte ELM452 und ELM453 bestehen jeweils aus einer Infrarot-Emissionsdiode, die optisch mit einem Hochgeschwindigkeits-Fotodetektortransistor gekoppelt ist. Ein separater Anschluss für die Photodiodenvorspannung und den Ausgangstransistorkollektor erhöht die Geschwindigkeit gegenüber herkömmlichen Phototransistorkopplern um mehrere Größenordnungen, indem die Basis-Kollektorkapazität des Eingangstransistors verringert wird Oberflächen-Montage.
Eigenschaften:
Hohe Geschwindigkeit 1 Mbit / s
Hohe Isolationsspannung zwischen Eingang und Ausgang (Viso = 3750 Veff)
Hoher CMR 15KV / us bei VCM = 1500V (ELM453)
Garantierte Leistung von 0 ° C bis 70 ° C
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 ° C bis 85 ° C
Pb frei und RoHS und Halogen frei konform
CUL genehmigt (Nr. E214129)
VDE geprüft (Nr. 40028116)
SEMKO genehmigt
NEMKO genehmigt
DEMKO genehmigt
FIMKO genehmigt
Anwendungen:
Leitungsempfänger
Feldbuskommunikation und -steuerung.
Leistungstransistorisolation in Motorantrieben
Ersatz für Fototransistor-Fotokoppler mit niedriger Geschwindigkeit
Hochgeschwindigkeits-Logikerdungsisolation
Erdung des Analogsignals
Spezifikationen:
Verpackung: 5-Pin SOP
Montage: SMD
Typ: 1 Mbit / s
Anzahl der Stifte: 5Pins
Länge: 4,4 mm
Breite: 4,1 mm
Höhe: 2mm
Anzahl der Kanäle: Single
Max. Durchlassstrom: 50mA
Max. Durchlassspannung: 1,8V
Mindest. CTR: 20%
Mindest. CMTI: 5 kV / us
Max. Ausbreitungsverzögerung Tplh: 0,8 us
Max. CTR: 50%
Gleichtakt-Störfestigkeit bei hohem (CMH): 5 kV / us
Mindest. Isolationsspannung: 3750V
Max. Sättigungsspannung Vce: 0,4V
Max. Verlustleistung: 100mW
Mindest. Betriebstemperatur: -40C
Max. Betriebstemperatur: 85C
Verpackung: Tape & Reel
Mindest. Lagertemperatur: -55C
Max. Lagertemperatur: 125C
HAFTUNGSAUSSCHLUSS:
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